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亚德诺半导体推出MOSFET驱动器 提供100%占空比能力试验仪器

文章来源:理想农业网  |  2022-12-06

亚德诺半导体推出MOSFET驱动器 提供100%占空比能力

2017年7月13日,亚德诺半导体(AnalogDevices,Inc.,简称ADI)旗下凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7003,该器件可采用高达60V的电源电压工作。遵化

其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和35ns传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容MOSFET,因此非常适合高频开关和静态开关应用。

LTC7003在3.5V至60V(65V绝对最大值)输入电源范围内运行,具3.5V至15V驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况,这个电阻器与外部MOSFET开关的漏极串联。当LTC7003检测到开关电流已经超过预设值时,就确定一个故障标记,开关则关断一段时间,关断时间长短由一个外部定时电容器设定。经过预定冷却时间之后,LTC7003自动重试。

LTC7003用来防水胶接收一个以地为基准的低压数字输入信号,并快速地钙氧化物驱动一个高压侧N沟道功率MOSFET,该MOSFET的漏极可比地高60V。当驱动一个1000pF负载时,快速13ns上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。LTC7003具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。

LTC7003采用MSOP-16封装。可提供3种工作结温级版本,扩展和工业温度级版本的温度范围为–40°C至125°C,高温汽车级版本的温度范围为–40°C至150°C,而军用温度级版本的温度范围则为–55°C至150°C。

60V高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器

性能概要:LTC7003

?宽VIN工作范围:3.5V至60V(65V绝对最大值)

?内部充电泵提供100%占空比能力

?1Ω下拉、2.2Ω上拉实现快速接通和关断时间

?快速35ns传播延迟

?短路保护

?自动重启定时器

?开漏故障标记

?可调接通和关断转换速率

?栅极驱动器电源范围为3.5V至15V

?可调电流限制

?电流监视器输出

?可调输入欠压和过压闭锁

?低停机电流:1μA

?CMOS兼容型输入

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